반도체 선폭이 좁아짐에 다라 aspect ratio가 증가하고, 이를 맞춰주기 위해 Photoresist(감광제)-이하 PR층이 얇아졌습니다. 그러나, 얇고 길어진 PR은 etching 공정에서 견디지 못하고 무너지기 때문에 PR과 substrate 중간에 Carbon을 층을 삽입해 PR을 길게 하지 않아도 되면서 PR의 약한 etch Rate를 보완하기 위한 공정이 도입되었습니다. 바로 Hardmask 공정이며 Carbon을 올리는 이 공정이 ACL공정입니다.
그런데, ACL과 SiON으로 구성된 Hardmask는 우수한 etch 내성을 갖고 있음에도 불구하고, 고가의 CVD 장비를 이용해서 증착시키므로 속도가 느리고, ACL로 인해 기판 위에 carbon particle을 남기는 경향이 있어 생산성이 떨어지는 단점이 있습니다. 또한 ACL층을 제거하기 위해 F 계열의 GAS를 흘려주는 공정과 붙어있는 다른 막을 제거하기 위한 O GAS 공정 등 추가 공정이 발생하여 공정 시간이 늘어나는 문제점이 발생
이러한 단점을 극복하기 위한 방법으로 CVD 공정 대신 Spin Coating으로 탄소박막층을 형성하는 공정으로 대부분 대체됨.
이 Si 층의 두께를 비롯한 세부 요소들을 변경함으로 인해 자체적으로 반사방지층 생성 공정도 없어지고 현재는 PR, Hardmask, substrate의 삼층구조로 제작되는 공정을 사용하려는 추세로 변하는 중이다.
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