반응형 반도체/기초12 반도체 기초 6. sputtering 원리와 공정 및 pre-sputtering 어릴때 개울이나 계곡에 가서 놀때 장난칠겸 큰 돌을 친구나 가족 주위에 던져서 물이 튀기기 놀았던 적이 있으신가요?(아니면 나만 늙은이..) 아무튼 돌을 물에던지면 팍하며 물이 튀어올라 상대방에게 날아가게 됩니다. 아니 뭔 반도체 배우러 왔는데 물튀기는 소리하고 자빠졌나 라고 하실 수 있지만. 바로 이 원리가 적용된게(좀 억지긴하다) 오늘 우리가 배울 Sputtering(스퍼터링)입니다. 스퍼터링의 원리는 간단합니다. 이 위에 있는 스퍼터의 타겟을 물이라고 생각하시고 저기다가 아르곤(Ar)이라는 돌을 던진다고 생각해보세요. 물론 아르곤만 가능한건 아닙니다. 아무튼 그러면 육안으로 막 가루가 되어서 떨어지는게 보이지는 않 지만 떨어져 나온 이온이나 원자들이 반대편에 있는 wafer나 원하는 기판위에 올라가.. 2024. 1. 4. 반도체 기초 5. CVD ALD PVD 공정의 차이점과 장단점 안녕하세요 오늘은 반도체 공정 관련한 기초인 PVD(Physical vapor deposition), CVD(Chemical vapor deposition), ALD(Atomic layer deposition)에 대해 간략하게 알아보겠습니다. 또한 PVD CVD ALD의 각 공정의 차이점과 장단점에 대해서도 알아보겠습니다. 우선 PVD입니다. Physical 이라는 말에서 알 수 있듯이 물리적인 에너지로 증착을 시키는 장비입니다. 열,충격 등 다양한 방법으로 가능하며 그것에 따라서 스퍼터링방법, 열 증착방법으로 나뉩니다. PVD 를 이해하는 방법은 간단합니다. 위나 아래에 타겟이 있고 그 반대면에 증착하려는 기판이 있는 상태에서 열이나 스퍼터링으로 타.겟.을 괴롭힙니다. 그러면 타겟의 표면에서 증착하고자.. 2023. 10. 12. 반도체 기초 4. Energy band gap이론과 부도체,반도체,도체 반도체의 밴드 갭은 반도체 소자의 전기적 특성을 결정하는 중요한 개념입니다. 밴드 갭은 반도체 재료의 전자 에너지 준위에 대한 간격을 의미합니다. 좀 쉽게 설명하자면 이 band gap은 전기가 흐르기 위한 최소한의 에너지 대역을 의미하기도 합니다. 열심히 경사에 공을 굴려서 올려도 오르막길에서 놓으면 다시 내려가는것처럼 결국 전기가 흐르지 않습니다. 여기서 아래쪽을 Valence Band라고 하고 높은에너지 대역을 Conduction band 라고 합니다. band gap은 바로 이 band 두개의 에너지 준위 차이를 말합니다. 이 band gap의 크기에 따라서 반도체 소자의 전기적 특성이 달라지는것이죠. 일반적으로는 Vb와 Cb사이에는 전자가 존재할 수 없기에 Forbbidden band 라고도 부.. 2023. 5. 30. 반도체 기초3. 반도체에서 intrinsic vs extrinsic 반도체는 전기를 통해 전류를 제어할 수 있는 물질로, 전자의 동작에 기반한 전자 공학의 핵심 소재입니다. 반도체 소재는 크게 두 가지 유형으로 나뉩니다: intrinsic semiconductor과 extrinsic semiconductor입니다. 우선 intrinsic semiconductor는 간단하게 말씀드린다면 자연상태 그대로의 반도체를 말합니다. 자연생성물 자체에서 있는 결함이죠. 그 결함이 전기 전도를 가능하게 합니다. 여기서 intrinsic은 전자와 양공(hole)의 개수가 동일합니다. 실제 산업현장에서는 쓰지않고 전기적인 작동은 온도의 영향을 가장 크게 받습니다. 그 다음 extrinsic은 ex에서 볼 수 있듯이 외부에서 가한 hole이나 전자의 개수가 더 많은 반도체를 의미합니다. 주.. 2023. 5. 24. 이전 1 2 3 다음 반응형
