반응형 반도체/공정6 Reactive Sputtering원리 Sputtering과의 차이점, 부도체 생성 안녕하세요 오늘은 Reactive Sputter 즉, 반응성 스퍼터링에 대해 공부해 보겠습니다. 기본적인 스퍼터에 관한건 아래 글에서 확인하시면 됩니다. 대략적인 설명이니 간단하게 이해하실분만 보시면 되겠습니다. 반도체 기초 6. sputtering 원리와 공정 및 pre-sputtering 어릴때 개울이나 계곡에 가서 놀때 장난칠겸 큰 돌을 친구나 가족 주위에 던져서 물이 튀기기 놀았던 적이 있으신가요?(아니면 나만 늙은이..) 아무튼 돌을 물에던지면 팍하며 물이 튀어올라 상 jhjjs.tistory.com 스퍼터는 즉 기판에 원하는 물질을 증착시키는 공정으로 원하는 물질(타겟)을 반대편에 놓고 흠씬 두들겨패서 거기서 나온 물질이 기판위에 올라가는 방식입니다. 말로는 아주 간단하지만 진공상태에서 타겟에.. 2024. 3. 5. 반도체 공정 기초 2. STI(Shallow Trench Isoltion)공정 Feat.LOCOS 공정 생각을 떠올려보자 열심히 노력해서 두 개의 소자를 만들어 냈다고 가정하고 기대감에 스위치를 켰는데 이게 웬일 전류는 분명 흐르는데 소자가 작동을 안한다. 알고보니 떨어뜨려 놨다고하는게 다시보니 붙어가지고 이래저래 전류가 누설중이다. 이렇게 생각한일들이 계속해서 발생한다면 소자가 계속해서 망가진거고 이는 칩 수율이 낮아지는 결과를 불러일으킨다. 한마디로 돈이 안된다는것. 반도체 공정은 많은 문제가 있지만 특히나 누설전류나 일명 쇼트라고 불리는 전자의 흐름이 막히는것들이 생긴다. 이런것을 막기위해서 먼저 생긴 공정이 LOCOS(Local Oxidation of silicon process)이다. 초기에는 이 문제를 잘 제어했으나 선폭이 미세화되면서 점차 문제가 생기기 시작했다. 그것은 바로 열적 산화로 만드.. 2022. 1. 19. diffusion공정과 원리, 그리고 한계점. feat. implantation 반도체는 다양한 공정을 진행하고 각각의 장단점들을 이용하여 생산에 기여한다. 오늘은 그중에서도 Diffusion공정을 소개한다. 먼저 확산(Diffusion) 공정이란 웨이퍼에 특정 불순물을 주입하여 반도체 소자 형성을 위한 특정 영역을 만드는 것입니다. etch 공정을 거친 패턴의 특정 부분에 이온 형태의 불순물을 주입하여 전자 소자의 영역을 만들어 주고, Gas간 화학 반응을 통해 형성된 물질을 웨이퍼 표면에 증착함으로써 여러가지 막을 형성하는 공정을 말합니다. 사실 여기까지는 일반적인 다른 Implantation 공정과 큰 차이점이 없는듯 보이는데 여기서 중요한건 불순물을 어떻게 주입하는지에 대한 개념입니다. 먼저 확산에 대해 알아보면 확산은 주입하려고 하는 물체를 주입당할 물체에 근접시키는것으로 .. 2021. 12. 17. ACL 공정 (Amorphous Carbon Layer)이란 반도체 선폭이 좁아짐에 다라 aspect ratio가 증가하고, 이를 맞춰주기 위해 Photoresist(감광제)-이하 PR층이 얇아졌습니다. 그러나, 얇고 길어진 PR은 etching 공정에서 견디지 못하고 무너지기 때문에 PR과 substrate 중간에 Carbon을 층을 삽입해 PR을 길게 하지 않아도 되면서 PR의 약한 etch Rate를 보완하기 위한 공정이 도입되었습니다. 바로 Hardmask 공정이며 Carbon을 올리는 이 공정이 ACL공정입니다. 그런데, ACL과 SiON으로 구성된 Hardmask는 우수한 etch 내성을 갖고 있음에도 불구하고, 고가의 CVD 장비를 이용해서 증착시키므로 속도가 느리고, ACL로 인해 기판 위에 carbon particle을 남기는 경향이 있어 생산성이.. 2021. 12. 15. 이전 1 2 다음 반응형
