반응형 반도체 공부7 반도체 기초 6. sputtering 원리와 공정 및 pre-sputtering 어릴때 개울이나 계곡에 가서 놀때 장난칠겸 큰 돌을 친구나 가족 주위에 던져서 물이 튀기기 놀았던 적이 있으신가요?(아니면 나만 늙은이..) 아무튼 돌을 물에던지면 팍하며 물이 튀어올라 상대방에게 날아가게 됩니다. 아니 뭔 반도체 배우러 왔는데 물튀기는 소리하고 자빠졌나 라고 하실 수 있지만. 바로 이 원리가 적용된게(좀 억지긴하다) 오늘 우리가 배울 Sputtering(스퍼터링)입니다. 스퍼터링의 원리는 간단합니다. 이 위에 있는 스퍼터의 타겟을 물이라고 생각하시고 저기다가 아르곤(Ar)이라는 돌을 던진다고 생각해보세요. 물론 아르곤만 가능한건 아닙니다. 아무튼 그러면 육안으로 막 가루가 되어서 떨어지는게 보이지는 않 지만 떨어져 나온 이온이나 원자들이 반대편에 있는 wafer나 원하는 기판위에 올라가.. 2024. 1. 4. 반도체 기초3. 반도체에서 intrinsic vs extrinsic 반도체는 전기를 통해 전류를 제어할 수 있는 물질로, 전자의 동작에 기반한 전자 공학의 핵심 소재입니다. 반도체 소재는 크게 두 가지 유형으로 나뉩니다: intrinsic semiconductor과 extrinsic semiconductor입니다. 우선 intrinsic semiconductor는 간단하게 말씀드린다면 자연상태 그대로의 반도체를 말합니다. 자연생성물 자체에서 있는 결함이죠. 그 결함이 전기 전도를 가능하게 합니다. 여기서 intrinsic은 전자와 양공(hole)의 개수가 동일합니다. 실제 산업현장에서는 쓰지않고 전기적인 작동은 온도의 영향을 가장 크게 받습니다. 그 다음 extrinsic은 ex에서 볼 수 있듯이 외부에서 가한 hole이나 전자의 개수가 더 많은 반도체를 의미합니다. 주.. 2023. 5. 24. plasma 기초 6. sheath란 무엇인가 플라즈마 쉬스(sheath) 우리는 유리구에 담긴 플라즈마를 보고 전문직 사람들은 일반적으로 챔버내에 발생한 플라즈마를 뷰포트를 통해서 보게 된다. 이렇듯 용접이나 특별한 경우가 아니고서는 대부분의 플라즈마 장치들은 보통은 챔버, 즉 벽안에 갇혀 존재하게 된다. 플라즈마는 앞선 포스팅의 정의처럼 준중성 상태를 이루는 제4의 물질이다. 준중성을 이루지만 그 안을 자세히 보면 전자와 이온으로 입자가 나누어져 각각은 전기적 중성이 아닌 상태이다. 이때 이 전하를 띤 이온과 전자가 챔버 벽을 만나게 되면 무슨 일이 발생할까? 그래서 나온 게 바로 오늘 공부할 Plasma sheath이다. 사실상 sheath는 플라즈마라고 불릴 수 없는데 이는 전쉬스(pre-sheath)부터 시작해 쉬스까지는 준 중성이 아닌 이.. 2022. 7. 13. plasma 기초 4. 파센의 법칙(Paschen's Law)과 그 유도 파센의 법칙(Paschen's Law) 그 법칙의 의미나 정확한 뜻은 몰라도 플라즈마를 한 번이라도 켜 본 사람이라면 이 법칙에서 벗어날 수 없다. 모든 장비는 각각의 크기나 사용하는 압력에 큰 차이가 있고 플라즈마를 만드는 전극 간의 거리도 천차만별이어서 같은 전압과 임피던스를 넣는다 하더라도 플라즈마가 켜지리란 보장이 없다. 파센의 법칙은 이러한 혼란을 줄여주기위한 법칙으로 압력과 전압 그리고 전극 간의 거리에 대한 그래프를 기체별로 나타내어 대략적인 방전 개시 전압을 우리가 예측할 수 있게 도와준다. 즉 파센의 법칙은 플라즈마를 켜고 그 플라즈마를 유지하는데 도움이 되는 것이다. 플라즈마를 켜기 위해서는(장비가 세팅되어 있다는 가정) 우선 챔버 내부에 이온화시킬 가스가 들어가 있어야 한다. 그리고 .. 2022. 3. 22. 이전 1 2 다음 반응형
