반응형 반도체공정6 반도체 기초 5. CVD ALD PVD 공정의 차이점과 장단점 안녕하세요 오늘은 반도체 공정 관련한 기초인 PVD(Physical vapor deposition), CVD(Chemical vapor deposition), ALD(Atomic layer deposition)에 대해 간략하게 알아보겠습니다. 또한 PVD CVD ALD의 각 공정의 차이점과 장단점에 대해서도 알아보겠습니다. 우선 PVD입니다. Physical 이라는 말에서 알 수 있듯이 물리적인 에너지로 증착을 시키는 장비입니다. 열,충격 등 다양한 방법으로 가능하며 그것에 따라서 스퍼터링방법, 열 증착방법으로 나뉩니다. PVD 를 이해하는 방법은 간단합니다. 위나 아래에 타겟이 있고 그 반대면에 증착하려는 기판이 있는 상태에서 열이나 스퍼터링으로 타.겟.을 괴롭힙니다. 그러면 타겟의 표면에서 증착하고자.. 2023. 10. 12. 반도체 공정 기초 3. High k와 Low k 의미와 비교 "High-k, Low-k" 우리가 반도체를 공부하며 많이 듣는 이야기이지만 명확히 어떤의미를 지니는지는 헷갈리는게 일반적이다. 처음에 반도체를 만들때에는 그저 SiO2면 충분했다. 그러나 시간이 지나면서 점차 High-k와 low-k를 가진 물질을 찾기 시작했고 최근에는 여러 다양한것들이 논의중이다. 그렇다면 왜 SiO2는 대체되기 시작했을까? 위 그림에서 보다시피 시간이 지나면서 소자가 점점 미세화되기 시작했다 특히나 10nm밑으로 진행되면서 gate insulator가 제 역할을 못하게되었다. 원래는 소자간 전류를 원할때만 통하게 해야하는데 넣으면 흘러버리는 전류로 인해 소자가 불능이 되어버리게 된다. 그래서 high-k와 lok-k가 대두되기 시작한것. 그렇다면 두개는 무엇을 의미할까 그 이전에 .. 2022. 1. 20. 반도체 공정 기초 2. STI(Shallow Trench Isoltion)공정 Feat.LOCOS 공정 생각을 떠올려보자 열심히 노력해서 두 개의 소자를 만들어 냈다고 가정하고 기대감에 스위치를 켰는데 이게 웬일 전류는 분명 흐르는데 소자가 작동을 안한다. 알고보니 떨어뜨려 놨다고하는게 다시보니 붙어가지고 이래저래 전류가 누설중이다. 이렇게 생각한일들이 계속해서 발생한다면 소자가 계속해서 망가진거고 이는 칩 수율이 낮아지는 결과를 불러일으킨다. 한마디로 돈이 안된다는것. 반도체 공정은 많은 문제가 있지만 특히나 누설전류나 일명 쇼트라고 불리는 전자의 흐름이 막히는것들이 생긴다. 이런것을 막기위해서 먼저 생긴 공정이 LOCOS(Local Oxidation of silicon process)이다. 초기에는 이 문제를 잘 제어했으나 선폭이 미세화되면서 점차 문제가 생기기 시작했다. 그것은 바로 열적 산화로 만드.. 2022. 1. 19. diffusion공정과 원리, 그리고 한계점. feat. implantation 반도체는 다양한 공정을 진행하고 각각의 장단점들을 이용하여 생산에 기여한다. 오늘은 그중에서도 Diffusion공정을 소개한다. 먼저 확산(Diffusion) 공정이란 웨이퍼에 특정 불순물을 주입하여 반도체 소자 형성을 위한 특정 영역을 만드는 것입니다. etch 공정을 거친 패턴의 특정 부분에 이온 형태의 불순물을 주입하여 전자 소자의 영역을 만들어 주고, Gas간 화학 반응을 통해 형성된 물질을 웨이퍼 표면에 증착함으로써 여러가지 막을 형성하는 공정을 말합니다. 사실 여기까지는 일반적인 다른 Implantation 공정과 큰 차이점이 없는듯 보이는데 여기서 중요한건 불순물을 어떻게 주입하는지에 대한 개념입니다. 먼저 확산에 대해 알아보면 확산은 주입하려고 하는 물체를 주입당할 물체에 근접시키는것으로 .. 2021. 12. 17. 이전 1 2 다음 반응형
