반응형 반도체공정7 HIPIMS란 무엇인가 장점과 단점 그리고 원리 고속 펄스형 자기장 스퍼터링(High Power Impulse Magnetron Sputtering, HIPIMS)은 박막 증착 기술 중 하나로, 높은 전력 밀도의 펄스를 사용하여 타겟 물질을 증착하는 방식입니다. 이 기술은 기존의 자기장 스퍼터링(Magnetron Sputtering) 기술과 비교하여 증착된 박막의 밀도, 부착력, 균일성 등을 크게 향상시키는 특징이 있습니다. HIPIMS는 특히 산업계와 연구 분야에서 고품질 박막이 요구되는 경우에 널리 사용되고 있습니다.HIPIMS의 원리HIPIMS의 작동 원리는 기본적으로 자기장 스퍼터링과 유사하지만, 매우 높은 전력 밀도의 펄스를 사용한다는 점에서 차이가 있습니다. 다음은 HIPIMS의 주요 원리와 과정입니다:고전력 펄스 발생: HIPIMS는 짧은.. 2024. 8. 1. 반도체 기초 5. CVD ALD PVD 공정의 차이점과 장단점 안녕하세요 오늘은 반도체 공정 관련한 기초인 PVD(Physical vapor deposition), CVD(Chemical vapor deposition), ALD(Atomic layer deposition)에 대해 간략하게 알아보겠습니다. 또한 PVD CVD ALD의 각 공정의 차이점과 장단점에 대해서도 알아보겠습니다. 우선 PVD입니다. Physical 이라는 말에서 알 수 있듯이 물리적인 에너지로 증착을 시키는 장비입니다. 열,충격 등 다양한 방법으로 가능하며 그것에 따라서 스퍼터링방법, 열 증착방법으로 나뉩니다. PVD 를 이해하는 방법은 간단합니다. 위나 아래에 타겟이 있고 그 반대면에 증착하려는 기판이 있는 상태에서 열이나 스퍼터링으로 타.겟.을 괴롭힙니다. 그러면 타겟의 표면에서 증착하고자.. 2023. 10. 12. 반도체 공정 기초 3. High k와 Low k 의미와 비교 "High-k, Low-k" 우리가 반도체를 공부하며 많이 듣는 이야기이지만 명확히 어떤의미를 지니는지는 헷갈리는게 일반적이다. 처음에 반도체를 만들때에는 그저 SiO2면 충분했다. 그러나 시간이 지나면서 점차 High-k와 low-k를 가진 물질을 찾기 시작했고 최근에는 여러 다양한것들이 논의중이다. 그렇다면 왜 SiO2는 대체되기 시작했을까? 위 그림에서 보다시피 시간이 지나면서 소자가 점점 미세화되기 시작했다 특히나 10nm밑으로 진행되면서 gate insulator가 제 역할을 못하게되었다. 원래는 소자간 전류를 원할때만 통하게 해야하는데 넣으면 흘러버리는 전류로 인해 소자가 불능이 되어버리게 된다. 그래서 high-k와 lok-k가 대두되기 시작한것. 그렇다면 두개는 무엇을 의미할까 그 이전에 .. 2022. 1. 20. 반도체 공정 기초 2. STI(Shallow Trench Isoltion)공정 Feat.LOCOS 공정 생각을 떠올려보자 열심히 노력해서 두 개의 소자를 만들어 냈다고 가정하고 기대감에 스위치를 켰는데 이게 웬일 전류는 분명 흐르는데 소자가 작동을 안한다. 알고보니 떨어뜨려 놨다고하는게 다시보니 붙어가지고 이래저래 전류가 누설중이다. 이렇게 생각한일들이 계속해서 발생한다면 소자가 계속해서 망가진거고 이는 칩 수율이 낮아지는 결과를 불러일으킨다. 한마디로 돈이 안된다는것. 반도체 공정은 많은 문제가 있지만 특히나 누설전류나 일명 쇼트라고 불리는 전자의 흐름이 막히는것들이 생긴다. 이런것을 막기위해서 먼저 생긴 공정이 LOCOS(Local Oxidation of silicon process)이다. 초기에는 이 문제를 잘 제어했으나 선폭이 미세화되면서 점차 문제가 생기기 시작했다. 그것은 바로 열적 산화로 만드.. 2022. 1. 19. 이전 1 2 다음 반응형
