반응형 반도체/공정7 ACL 공정 (Amorphous Carbon Layer)이란 반도체 선폭이 좁아짐에 다라 aspect ratio가 증가하고, 이를 맞춰주기 위해 Photoresist(감광제)-이하 PR층이 얇아졌습니다. 그러나, 얇고 길어진 PR은 etching 공정에서 견디지 못하고 무너지기 때문에 PR과 substrate 중간에 Carbon을 층을 삽입해 PR을 길게 하지 않아도 되면서 PR의 약한 etch Rate를 보완하기 위한 공정이 도입되었습니다. 바로 Hardmask 공정이며 Carbon을 올리는 이 공정이 ACL공정입니다. 그런데, ACL과 SiON으로 구성된 Hardmask는 우수한 etch 내성을 갖고 있음에도 불구하고, 고가의 CVD 장비를 이용해서 증착시키므로 속도가 느리고, ACL로 인해 기판 위에 carbon particle을 남기는 경향이 있어 생산성.. 2021. 12. 15. 이온주입과 증착의 원리 및 차이점 머리로는 알고있어도 막상 온전히 이해하고 적용하는건 쉽지 않다. 특히나 반도체를 공부할때는 다양한 공정들과 각각의 공정들이 어떤 원리로 발생하는지 알아야하는데 대부분 플라즈마를 이용한 건식공정이 대부분이고 하나의 현상만 발생하지 않아 헷갈리는 경우가 많다. 그런면에서 오늘은 증착과 이온주입의 차이점과 그 비교를 통해 두 공정에 대한 이해를 해보려한다. 우선 증착은 그야말로 찔 증과 붙을착 단어처럼 무언가 물체를 가열시키거나 증발시켜 그 가열되어 떨어져 나온 물체를 다른 물체에 올리는 공정이다. 여기서 증착의 중요한점은 막을 위로 쌓는다고 가정했을때 시간당 증착되는 두께만큼 총 물체의 두께도 증가하는것이다. 예를들어 10mm의 기판에 시간당 1mm로 증착되는 물질을 가정하면 2시간이 지나면 총 기판의 두께.. 2021. 12. 15. ION Implantation(이온주입 공정) 방식과 원리 이온주입, 즉 이온을 특정물질에 넣는 작업을 의미한다. 작은 물체를 가속시켜 다른 물체에 충돌시키면 발생하는 현상은 크게 3가지이다. 튕겨나가거나 붙거나 안을 비집고 들어간다 여기서 이온주입은 3번째에 해당하는데 일반적으로 원하는 특성층을 만들기위해 Si Wafer(4족)에 3족이나 5족의 물질들을 이온주입시켜 자유전자를 늘리거나 자유정공을 만들어 이후 반도체를 만들때 특성을 보이기위해 하는 공정의 일부로 쓰인다. 이러한 공정을 진행하기 위해서는 넣은 gas나 물체가 플라즈마 형태로 존재하여 반응성을 높이고 원하는 깊이에 원하는 양을 넣을 수 있는 시간을 장비의 조건에 따른 계산과 실험을 통하여 얻어야한다. 방식은 플라즈마를 형성하여 물체에 직접 쏘는 이온빔 형식이 있고 Plasma sheath를 형성해.. 2021. 12. 14. 이전 1 2 다음 반응형
