반응형 반도체/기초12 가스의 압력에 따른 흐름 viscous flow VS molecular flow 반도체 공정에서 대부분은 고진공(high vaccum)을 사용한다. 이런 일반적인 사용의 이유는 미세선폭으로 인해 보다 정밀하게 gas량을 조절해야함의 필요성과 공정 gas가 아닌 particle이나 다른 gas의 간섭을 막기위함이다. 우선 자연의 가스 흐름은 대부분 viscous flow(점성 유체)를 따른다. 이 경우에는 mfp가 짧고 계속해서 다른 원자들과 부딪히면서 이동하므로 압력이 높을경우 원자들은 개별적으로 행동하기 보다는 계속해서 이어지는 하나의 흐름을 가지면서 움직인다. 간단하게 떠올리면 흐르는 하천의 물을 생각하면 이해하기 쉽다. 보통은 viscous flow로 불리고 laminar flow(층류)로도 쓰인다. 그리고 고진공으로 오게되면 mfp는 매우 길어진다. 다른 원자들과의 충돌도 현.. 2021. 12. 22. mean free path(mfp-평균자유행로) 의미 mfp 일명 평균자유행로라 일컬어지는 이 말은 가스 원자들이 다른 가스 원자를 만나 충돌할 수 있는 평균 거리를 나타낸것을 의미한다. 간단하게 말하면 가스가 다른 가스와 부딪힐때까지 이동하는 거리의 평균을 의미하는것. 일반적으로 압력이 높을수록(동일 공간내에 가스가 많을수록) 반대로 공간이 좁을수록(동일 가스량 가정)평균자유행로 즉 mfp는 줄어든다 일반적으로 1mtorr의 상온에서 아르곤의 mfp는 약 8cm이고 다른 가스들은 평균적으로 이 3배 안의 값을 가진다. 원자간에 상호작용이 없다고 가정하면 충돌할 확률은 일반적으로 원자크기에 비례한다. mfp의 기호는 λ(람다)로 쓰고 공식은 다음과 같다 λ=v/θ (v는 평균속도, θ는 평균 초당 충돌회수) =1/N*A(N은 기체의밀도,A는 공간의 부피) .. 2021. 12. 21. Radical이란 무엇인가 Plasma 상태에서는 보통 3가지의 형태로 플라즈마 형태를 유지합니다. 중성종,이온,전자 이렇게 나뉩니다. radical은 간단하게 말하면 반응성이 매우 큰 불안정한 상태를 뜻합니다. 기존의 원소들은 octat규칙을 지키게 되어있는데 7족의 Cl은 최외곽전자가 7개이므로 전자 한개를 얻어 8개 Cl-의 형태를 가집니다. 자연계에서는 이게 안정된 형태이므로 단순Cl은 불안정하고 반응성이 높은 상태가 됩니다. 이러한 상태를 Radical이라 합니다. 조금 더 단순한게 이온과 라디칼을 비교하면 이온은 짝을이루는 전자형태를 다 가지고있는것이며 라디칼은 짝을 이루지 못한 전자를 가지고있는것입니다. 전자가 홀수개일때를 생각하시면 됩니다. 2021. 7. 13. Binding energy, bonding energy 차이/의미/분석 Binding E Bingding Energy는 원자에서 전자를 떼어내는 힘을 의미한다. 위와같이 전자를 떼어내는 힘이며 꼭 최외각전자를 뜻함은 아니다. Bonding E Bonding Energy는 결합한 원자와 원자를 분리시킬때 필요한 에너지를 뜻한다. 일반적으로 Bonding E 2021. 7. 12. 이전 1 2 3 다음 반응형
