반응형 반도체 공정2 반도체 공정 기초1. step coverage, Aspect ratio란 무엇인가 오늘은 반도체 공정의 기초 시간입니다. 우리가 공부하면서 CVD,PVD,ALD 등등 많은 공정들을 배우는데 거기서 나오는 단어가 있습니다. 바로 step coverage, Aspect ration죠. 어딘가 쉬우면서도 비슷한 개념때문에 혼동되는 경우가 많은데 오늘 확실히 집고 넘어가도록 하겠습니다. 먼저 step coverage란 개념은 반도체 공정의 작업이 평평하지 않은데서부터 시작합니다. 우리가 배선을 심고 전신주 공사를 하기 위해서는 땅을파죠. 그리고 땅을 파놓은곳에다가 이것저것 넣고 그 위에 무언가를 세웁니다. 이런식으로 반도체 공정도 동일합니다. 평평한 Si Wafer에 구멍도 내고 그 안에다 다양한 물질들을 넣어 우리가 원하는 특성을 이끌어내는거죠. 그런데 여기서 문제가 발생합니다. 나는 파놓.. 2022. 1. 18. ION Implantation(이온주입 공정) 방식과 원리 이온주입, 즉 이온을 특정물질에 넣는 작업을 의미한다. 작은 물체를 가속시켜 다른 물체에 충돌시키면 발생하는 현상은 크게 3가지이다. 튕겨나가거나 붙거나 안을 비집고 들어간다 여기서 이온주입은 3번째에 해당하는데 일반적으로 원하는 특성층을 만들기위해 Si Wafer(4족)에 3족이나 5족의 물질들을 이온주입시켜 자유전자를 늘리거나 자유정공을 만들어 이후 반도체를 만들때 특성을 보이기위해 하는 공정의 일부로 쓰인다. 이러한 공정을 진행하기 위해서는 넣은 gas나 물체가 플라즈마 형태로 존재하여 반응성을 높이고 원하는 깊이에 원하는 양을 넣을 수 있는 시간을 장비의 조건에 따른 계산과 실험을 통하여 얻어야한다. 방식은 플라즈마를 형성하여 물체에 직접 쏘는 이온빔 형식이 있고 Plasma sheath를 형성해.. 2021. 12. 14. 이전 1 다음 반응형
