반응형 반도체기초13 반도체 기초1. 재료의 종류 (금속, 세라믹, 고분자) 우리가 Semiconductor라고 부르는 반도체를 만드는 과정을 이해하기위해서는 생각보다 많은 노력이 필요하다. 요즘 '심심한 사과' 라는말이 뭐 진짜 심심하다 뭐 이렇게 논란이 될 만큼 어휘력에 문제가 있는데 반도체는 관련해서 업종내에서 쓰는 말들도 상당히 많고 단어를 전문적이게 사용하기에 우리는 말과함께 그 원리까지 다 배워야한다. 잠깐 이야기가 새버렸지만 우리가 배울 반도체는 그야말로 반도체이다. 반은 도체이며 반은 부도체로 딱 나뉜것은 아니고 상황에 따라 도체와 부도체로 사용된다는것. 이렇듯 반도체를 배울때는 말이 상당히 중요하고 기초적이다. 그리고 앞에나온 반도체나 도체, 부도체 또한 기초적인 단어이며 우리는 여러가지 재료를 먼저 알아야 반도체를 이해하고 사용할 수 있다. 우선 반도체에는 가스.. 2022. 9. 26. Plasma 기초 1. 플라즈마 발생 원리와 특징 그동안 여러가지 진공과 펌프 그리고 반도체 기초와 공정에 관련된 글을 배워왔다. 물론 결국은 반도체 공정에 대한 이해를 위해 배우는것들이지만 그중에서도 제일 중요한건 이 플라즈마 아닐까..?(물론 그건 개바개) 어쨌거나 우리는 반도체 공정 대부분을 이해하기 위해서 플라즈마를 배워야한다. 그렇다면 플라즈마란 무엇이고 어떤 특성을 지닐까? 우리가 흔히 아는 플라즈마를 떠올리면 위의 사진과 같다. 어딘가 서양의 마녀가 손을 둥글둥글 돌리면 다른 사람을 훔쳐볼 수 있을것같은 느낌의 원형 구, 이것도 플라즈마 원리로 이루어진것이다. 플라즈마는 물질의 제 4상태로 정의되어있다. 고체, 액체, 기체, 그리고 플라즈마이며 기체에서 한단계 더 나아간 형태로 보면된다. 어떤 형태냐면 기체상태는 분자와 원자로 이루어진 수많.. 2022. 1. 21. 반도체 공정 기초1. step coverage, Aspect ratio란 무엇인가 오늘은 반도체 공정의 기초 시간입니다. 우리가 공부하면서 CVD,PVD,ALD 등등 많은 공정들을 배우는데 거기서 나오는 단어가 있습니다. 바로 step coverage, Aspect ration죠. 어딘가 쉬우면서도 비슷한 개념때문에 혼동되는 경우가 많은데 오늘 확실히 집고 넘어가도록 하겠습니다. 먼저 step coverage란 개념은 반도체 공정의 작업이 평평하지 않은데서부터 시작합니다. 우리가 배선을 심고 전신주 공사를 하기 위해서는 땅을파죠. 그리고 땅을 파놓은곳에다가 이것저것 넣고 그 위에 무언가를 세웁니다. 이런식으로 반도체 공정도 동일합니다. 평평한 Si Wafer에 구멍도 내고 그 안에다 다양한 물질들을 넣어 우리가 원하는 특성을 이끌어내는거죠. 그런데 여기서 문제가 발생합니다. 나는 파놓.. 2022. 1. 18. 진공의 기초 4. Conductance란 [의미/계산/단위] 앞서 공부했지만 단순히 개념만 설명한것같아서 추가로 더 작성합니다. 일단 컨덕턴스(conductance)란 펌프에서 주어진 시간동안 기체를 통과시킬 수 있는 파이프(배관)의 능력을 말합니다. 위의 그림처럼 오른쪽에 있는 배관이 더 기체를 잘 흘려보낼겁니다. 우리는 오른쪽이 왼쪽보다 컨덕턴스가 좋다고 말할 수 있지요. 이러한 컨덕턴스를 나타내는 방법은 l/sec, ft-3/min, m-3/hour 입니다. 즉 시간당 지나간 양(면적)을 의미합니다. 여기서 보다시피 컨덕턴스란 개념은 펌프랑 맞물려서 사용합니다. 만약 챔버와 연결된 펌프의 용량이 500l/sec의 용량을 가졌다 하더라도 챔버에서 펌프로 나갈 수 있는 컨덕턴스가 100l/sec 라면 그 챔버의 진공배기 용량은 100l/sec가 될 수 밖에 없습.. 2022. 1. 7. 이전 1 2 3 4 다음 반응형
