반응형 반도체/분석10 XPS분석 원리/방법/분석가능data XPS(X-ray Phothelectron Spectroscopy) 표면 분석 장비 원리: X-ray를 Sample에 조사하여 표면(약 10nm)으로부터 방출되는 광전자의 운동에너지를 수집하여 분석하는 원리 그렇다면 XPS는 XRD와 무엇이 다른가 Source power의 차이 XPS 2021. 5. 11. XRD의 원리와 분석방법 XRD원리-브래그법칙 X-ray의 각도에 따라 각 원자에서 반사된 X선의 위상차가 다르게 나타납니다. 진행상 경로차는 2d sinθ로, 세타값에 따라 변합니다. 이때 X선의 위상차이를 만드는 경로차가, 표면에 조사해준 X선의 파장과 어떤 관계를 가지냐에 따라 중첩된 반사광(=원자를 맞고 반사된 X선)은 보강간섭을 하기도 하고 안하기도 합니다. 발생된 X선의 경로차는 특정θ값에서 보강간섭을 일으킵니다. 이 경우에 X-ray의 Intesity가 높게나오는데 이를 Peak로 삼아 해당 물질을 확인하는게 XRD의 원리입니다. 일반적인 경우 x축을 2θ, y축을 intensity로 놓고 그래프를 그립니다.(물론 손이아니라 기계가^^) 위와같은 그래프는 결정질 구조에서 나타나는데 규칙적인 배열을 이룰때 반사되는.. 2021. 5. 7. 이전 1 2 3 다음 반응형
