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갈바닉 부식 원리, 양극 금속과 음극 금속이 맞닿는다면 갈바닉 부식은 부식성 용액이나 전해질 용액에서 두 금속이 접촉된 상태(또는 전기 도체로 연결된 상태)로 담겨 있을 때, 두 금속의 전위 차에 의해 전자의 이동이 발생하고 부식이 일어나는 것으로 두 금속의 전위차로 인해 전자가 몰리는 금속에 부식이 더 강하게 발생하는 현상이다. 이렇게 전위차가 발생하여 전자가 저전위인 양극으로 몰리게되어 부식의 속도가 빨라지는것이다. 따라서 금속을 잘 사용하기위해 자주 쓰는 금속의 전위차를 비교하여 나눠놓았고 이러한 것들을 갈바닉 시리즈(Garvanic series)라고 한다. 여기서 보면 구리(Cu)와 알루미늄(Al)이 같은곳에서 갈바닉 부식을 일으킨다고 하면 구리가 더 음극쪽에 속하므로 양극에 가까운 알루미늄의 부식속도가 빨라진다. 반면에 마그네슘과 알루미늄으로 가정하.. 2021. 12. 18.
diffusion공정과 원리, 그리고 한계점. feat. implantation 반도체는 다양한 공정을 진행하고 각각의 장단점들을 이용하여 생산에 기여한다. 오늘은 그중에서도 Diffusion공정을 소개한다. 먼저 확산(Diffusion) 공정이란 웨이퍼에 특정 불순물을 주입하여 반도체 소자 형성을 위한 특정 영역을 만드는 것입니다. etch 공정을 거친 패턴의 특정 부분에 이온 형태의 불순물을 주입하여 전자 소자의 영역을 만들어 주고, Gas간 화학 반응을 통해 형성된 물질을 웨이퍼 표면에 증착함으로써 여러가지 막을 형성하는 공정을 말합니다. 사실 여기까지는 일반적인 다른 Implantation 공정과 큰 차이점이 없는듯 보이는데 여기서 중요한건 불순물을 어떻게 주입하는지에 대한 개념입니다. 먼저 확산에 대해 알아보면 확산은 주입하려고 하는 물체를 주입당할 물체에 근접시키는것으로 .. 2021. 12. 17.
GAS 공부하기1-1 -원자의 운동과 압력 닫힌계에서 원자는 에너지를 흡수하게된다. 벽이나 주변환경에서 나오는 방사선같은, 그리고 흡수한 에너지를 운동에너지로 바꿔 가지고있게 된다. 닫힌계라 할 지라도 원자나 원자에게 에너지를 전해주는 매개체인 주변환경에도 원자는 존재하기때문에 계속해서 에너지의 충돌이 일어나고 이러한 원자들의 진동(움직임)은 계속해서 상호간에 에너지를 전달하게 된다. 그리고 이러한 원자의 움직임은 운동에너지량으로 계산될 수 있는데 식은 다음과 같다. 1/2mc2=3/2kT m은 원자의 질량 c는 평균속도를 k는 볼츠만 상수, T는 온도를 이야기한다. 이렇게 에너지를 가진 입자는 닫힌계에서도 계속 운동하며 이 에너지를 가지고 운동한다. 그렇게 주변으로 이동하다가 반드시 벽에 부딪히게되는데 이는 에너지의 전달로 일어나고 이 에너지의.. 2021. 12. 16.
ACL 공정 (Amorphous Carbon Layer)이란 반도체 선폭이 좁아짐에 다라 aspect ratio가 증가하고, 이를 맞춰주기 위해 Photoresist(감광제)-이하 PR층이 얇아졌습니다. 그러나, 얇고 길어진 PR은 etching 공정에서 견디지 못하고 무너지기 때문에 PR과 substrate 중간에 Carbon을 층을 삽입해 PR을 길게 하지 않아도 되면서 PR의 약한 etch Rate를 보완하기 위한 공정이 도입되었습니다. 바로 Hardmask 공정이며 Carbon을 올리는 이 공정이 ACL공정입니다. 그런데, ACL과 SiON으로 구성된 Hardmask는 우수한 etch 내성을 갖고 있음에도 불구하고, 고가의 CVD 장비를 이용해서 증착시키므로 속도가 느리고, ACL로 인해 기판 위에 carbon particle을 남기는 경향이 있어 생산성이.. 2021. 12. 15.
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