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이온주입과 증착의 원리 및 차이점 머리로는 알고있어도 막상 온전히 이해하고 적용하는건 쉽지 않다. 특히나 반도체를 공부할때는 다양한 공정들과 각각의 공정들이 어떤 원리로 발생하는지 알아야하는데 대부분 플라즈마를 이용한 건식공정이 대부분이고 하나의 현상만 발생하지 않아 헷갈리는 경우가 많다. 그런면에서 오늘은 증착과 이온주입의 차이점과 그 비교를 통해 두 공정에 대한 이해를 해보려한다. 우선 증착은 그야말로 찔 증과 붙을착 단어처럼 무언가 물체를 가열시키거나 증발시켜 그 가열되어 떨어져 나온 물체를 다른 물체에 올리는 공정이다. 여기서 증착의 중요한점은 막을 위로 쌓는다고 가정했을때 시간당 증착되는 두께만큼 총 물체의 두께도 증가하는것이다. 예를들어 10mm의 기판에 시간당 1mm로 증착되는 물질을 가정하면 2시간이 지나면 총 기판의 두께.. 2021. 12. 15.
ION Implantation(이온주입 공정) 방식과 원리 이온주입, 즉 이온을 특정물질에 넣는 작업을 의미한다. 작은 물체를 가속시켜 다른 물체에 충돌시키면 발생하는 현상은 크게 3가지이다. 튕겨나가거나 붙거나 안을 비집고 들어간다 여기서 이온주입은 3번째에 해당하는데 일반적으로 원하는 특성층을 만들기위해 Si Wafer(4족)에 3족이나 5족의 물질들을 이온주입시켜 자유전자를 늘리거나 자유정공을 만들어 이후 반도체를 만들때 특성을 보이기위해 하는 공정의 일부로 쓰인다. 이러한 공정을 진행하기 위해서는 넣은 gas나 물체가 플라즈마 형태로 존재하여 반응성을 높이고 원하는 깊이에 원하는 양을 넣을 수 있는 시간을 장비의 조건에 따른 계산과 실험을 통하여 얻어야한다. 방식은 플라즈마를 형성하여 물체에 직접 쏘는 이온빔 형식이 있고 Plasma sheath를 형성해.. 2021. 12. 14.
Radical이란 무엇인가 Plasma 상태에서는 보통 3가지의 형태로 플라즈마 형태를 유지합니다. 중성종,이온,전자 이렇게 나뉩니다. radical은 간단하게 말하면 반응성이 매우 큰 불안정한 상태를 뜻합니다. 기존의 원소들은 octat규칙을 지키게 되어있는데 7족의 Cl은 최외곽전자가 7개이므로 전자 한개를 얻어 8개 Cl-의 형태를 가집니다. 자연계에서는 이게 안정된 형태이므로 단순Cl은 불안정하고 반응성이 높은 상태가 됩니다. 이러한 상태를 Radical이라 합니다. 조금 더 단순한게 이온과 라디칼을 비교하면 이온은 짝을이루는 전자형태를 다 가지고있는것이며 라디칼은 짝을 이루지 못한 전자를 가지고있는것입니다. 전자가 홀수개일때를 생각하시면 됩니다. 2021. 7. 13.
Binding energy, bonding energy 차이/의미/분석 Binding E Bingding Energy는 원자에서 전자를 떼어내는 힘을 의미한다. 위와같이 전자를 떼어내는 힘이며 꼭 최외각전자를 뜻함은 아니다. Bonding E Bonding Energy는 결합한 원자와 원자를 분리시킬때 필요한 에너지를 뜻한다. 일반적으로 Bonding E 2021. 7. 12.
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