반응형 반도체공부15 가스의 압력에 따른 흐름 viscous flow VS molecular flow 반도체 공정에서 대부분은 고진공(high vaccum)을 사용한다. 이런 일반적인 사용의 이유는 미세선폭으로 인해 보다 정밀하게 gas량을 조절해야함의 필요성과 공정 gas가 아닌 particle이나 다른 gas의 간섭을 막기위함이다. 우선 자연의 가스 흐름은 대부분 viscous flow(점성 유체)를 따른다. 이 경우에는 mfp가 짧고 계속해서 다른 원자들과 부딪히면서 이동하므로 압력이 높을경우 원자들은 개별적으로 행동하기 보다는 계속해서 이어지는 하나의 흐름을 가지면서 움직인다. 간단하게 떠올리면 흐르는 하천의 물을 생각하면 이해하기 쉽다. 보통은 viscous flow로 불리고 laminar flow(층류)로도 쓰인다. 그리고 고진공으로 오게되면 mfp는 매우 길어진다. 다른 원자들과의 충돌도 현.. 2021. 12. 22. mean free path(mfp-평균자유행로) 의미 mfp 일명 평균자유행로라 일컬어지는 이 말은 가스 원자들이 다른 가스 원자를 만나 충돌할 수 있는 평균 거리를 나타낸것을 의미한다. 간단하게 말하면 가스가 다른 가스와 부딪힐때까지 이동하는 거리의 평균을 의미하는것. 일반적으로 압력이 높을수록(동일 공간내에 가스가 많을수록) 반대로 공간이 좁을수록(동일 가스량 가정)평균자유행로 즉 mfp는 줄어든다 일반적으로 1mtorr의 상온에서 아르곤의 mfp는 약 8cm이고 다른 가스들은 평균적으로 이 3배 안의 값을 가진다. 원자간에 상호작용이 없다고 가정하면 충돌할 확률은 일반적으로 원자크기에 비례한다. mfp의 기호는 λ(람다)로 쓰고 공식은 다음과 같다 λ=v/θ (v는 평균속도, θ는 평균 초당 충돌회수) =1/N*A(N은 기체의밀도,A는 공간의 부피) .. 2021. 12. 21. diffusion공정과 원리, 그리고 한계점. feat. implantation 반도체는 다양한 공정을 진행하고 각각의 장단점들을 이용하여 생산에 기여한다. 오늘은 그중에서도 Diffusion공정을 소개한다. 먼저 확산(Diffusion) 공정이란 웨이퍼에 특정 불순물을 주입하여 반도체 소자 형성을 위한 특정 영역을 만드는 것입니다. etch 공정을 거친 패턴의 특정 부분에 이온 형태의 불순물을 주입하여 전자 소자의 영역을 만들어 주고, Gas간 화학 반응을 통해 형성된 물질을 웨이퍼 표면에 증착함으로써 여러가지 막을 형성하는 공정을 말합니다. 사실 여기까지는 일반적인 다른 Implantation 공정과 큰 차이점이 없는듯 보이는데 여기서 중요한건 불순물을 어떻게 주입하는지에 대한 개념입니다. 먼저 확산에 대해 알아보면 확산은 주입하려고 하는 물체를 주입당할 물체에 근접시키는것으로 .. 2021. 12. 17. 이전 1 2 3 4 다음 반응형
