반응형 반도체13 ACL 공정 (Amorphous Carbon Layer)이란 반도체 선폭이 좁아짐에 다라 aspect ratio가 증가하고, 이를 맞춰주기 위해 Photoresist(감광제)-이하 PR층이 얇아졌습니다. 그러나, 얇고 길어진 PR은 etching 공정에서 견디지 못하고 무너지기 때문에 PR과 substrate 중간에 Carbon을 층을 삽입해 PR을 길게 하지 않아도 되면서 PR의 약한 etch Rate를 보완하기 위한 공정이 도입되었습니다. 바로 Hardmask 공정이며 Carbon을 올리는 이 공정이 ACL공정입니다. 그런데, ACL과 SiON으로 구성된 Hardmask는 우수한 etch 내성을 갖고 있음에도 불구하고, 고가의 CVD 장비를 이용해서 증착시키므로 속도가 느리고, ACL로 인해 기판 위에 carbon particle을 남기는 경향이 있어 생산성.. 2021. 12. 15. ION Implantation(이온주입 공정) 방식과 원리 이온주입, 즉 이온을 특정물질에 넣는 작업을 의미한다. 작은 물체를 가속시켜 다른 물체에 충돌시키면 발생하는 현상은 크게 3가지이다. 튕겨나가거나 붙거나 안을 비집고 들어간다 여기서 이온주입은 3번째에 해당하는데 일반적으로 원하는 특성층을 만들기위해 Si Wafer(4족)에 3족이나 5족의 물질들을 이온주입시켜 자유전자를 늘리거나 자유정공을 만들어 이후 반도체를 만들때 특성을 보이기위해 하는 공정의 일부로 쓰인다. 이러한 공정을 진행하기 위해서는 넣은 gas나 물체가 플라즈마 형태로 존재하여 반응성을 높이고 원하는 깊이에 원하는 양을 넣을 수 있는 시간을 장비의 조건에 따른 계산과 실험을 통하여 얻어야한다. 방식은 플라즈마를 형성하여 물체에 직접 쏘는 이온빔 형식이 있고 Plasma sheath를 형성해.. 2021. 12. 14. Auger 분석과 원리/depth profiling/방법/Spectrum Auger 분석법은 전자 beam을 시료 표면에 입사시키면 시료 표면으로부터 시료원자 고유의 에너지를 가지는 전자가 방출되는데, 이 전자를 검출하여 시료표면원소의 정성 및 정량분석하는 방법이다. 1923년 들뜬상태의 원자에서 바닥상태의 원자상태로 전이하는 과정에서 전자가 방출되어 운동하는 것을 처음 발견하였고, 이러한 전자들을 '오제(Auger) 전자'라 부른다. 이온스퍼터링으로 표면을 식각하면서 분석함으로써, 시료의 깊이 분포(방향)에 따른 구성원소들의 화학적인 조성비를 확인 할 수 있다(depth profiling) 화학 결합상태 및 전자구조까지 분석할 수 있다. . Excited state에서 Ground state로 전이되는 과정에서 X-선 혹은 전자를 방출하는데 이때 방출되는 전자.. 2021. 6. 21. XPS분석 원리/방법/분석가능data XPS(X-ray Phothelectron Spectroscopy) 표면 분석 장비 원리: X-ray를 Sample에 조사하여 표면(약 10nm)으로부터 방출되는 광전자의 운동에너지를 수집하여 분석하는 원리 그렇다면 XPS는 XRD와 무엇이 다른가 Source power의 차이 XPS 2021. 5. 11. 이전 1 2 3 4 다음 반응형
