반응형 반도체62 Pump에서 Conductance란 Conductance라는 말은 여기저기 굉장히 많이 쓰인다. 전기에서는 전류의 흐름이 얼마나 잘 흐르는가를 판단하는 척도로 쓰이고 열에서는 열의 이동이 얼마나 원활한가에 대한 척도로 쓰인다. 그러나 우리는 지금 펌프를 공부하고 있으니 pump에서는 어떤 의미로 쓰이는지 알아보자 앞선 두 경우의 전기와 열에서의 이야기처럼 pump에서도 conductance라는 말은 흐름에 관한 이야기이다. 챔버를 진공을 만들기위해 얼마나 gas를 잘 흘려 내보낼 수 있냐는 의미로 보통 쓰이는데 이건 앞서 말했던 Pumping speed나 throughput이랑은 좀 다른 이야기이다. 왜냐하면 펌프는 단일로 이뤄진게 아니고 챔버와 펌프사이에는 배관이 있다. 배관의 크기는 작거나 크거나 펌프에 맞춰져 있어야하고 이때 챔버의 .. 2021. 12. 24. pumping speed, throughput , residence time 단위 및 의미 뜻 일반적으로 가스 흐름을 나타내는건 두가지 종류가 있다. Pumping speed 를 S 로(초마다 부피를 지나는 가스량) 쓰는경우가 있지만 여기서 S는 압력을 포함하지 않아 Throughput Q를 사용한다. S에 p압력을 곱한 pS의 값으로 flow rate로도 불리고 가스를 챔버에 넣을때도 이 단위를 사용한다. 단위는 torr liter/s이다. 또한 이 단위를 sccm(standard cc per minute)로 쓰기도 하는데 standard는 0도씨 1기압을 상정한다. 그래서 1sccm=6.023X10-23/22414=2.69X10-19 molecules per minute으로 나타내며 이는 1torr litre/sec=79.05 sccm= 2.13X10-21 molecules per minute.. 2021. 12. 23. 가스의 압력에 따른 흐름 viscous flow VS molecular flow 반도체 공정에서 대부분은 고진공(high vaccum)을 사용한다. 이런 일반적인 사용의 이유는 미세선폭으로 인해 보다 정밀하게 gas량을 조절해야함의 필요성과 공정 gas가 아닌 particle이나 다른 gas의 간섭을 막기위함이다. 우선 자연의 가스 흐름은 대부분 viscous flow(점성 유체)를 따른다. 이 경우에는 mfp가 짧고 계속해서 다른 원자들과 부딪히면서 이동하므로 압력이 높을경우 원자들은 개별적으로 행동하기 보다는 계속해서 이어지는 하나의 흐름을 가지면서 움직인다. 간단하게 떠올리면 흐르는 하천의 물을 생각하면 이해하기 쉽다. 보통은 viscous flow로 불리고 laminar flow(층류)로도 쓰인다. 그리고 고진공으로 오게되면 mfp는 매우 길어진다. 다른 원자들과의 충돌도 현.. 2021. 12. 22. mean free path(mfp-평균자유행로) 의미 mfp 일명 평균자유행로라 일컬어지는 이 말은 가스 원자들이 다른 가스 원자를 만나 충돌할 수 있는 평균 거리를 나타낸것을 의미한다. 간단하게 말하면 가스가 다른 가스와 부딪힐때까지 이동하는 거리의 평균을 의미하는것. 일반적으로 압력이 높을수록(동일 공간내에 가스가 많을수록) 반대로 공간이 좁을수록(동일 가스량 가정)평균자유행로 즉 mfp는 줄어든다 일반적으로 1mtorr의 상온에서 아르곤의 mfp는 약 8cm이고 다른 가스들은 평균적으로 이 3배 안의 값을 가진다. 원자간에 상호작용이 없다고 가정하면 충돌할 확률은 일반적으로 원자크기에 비례한다. mfp의 기호는 λ(람다)로 쓰고 공식은 다음과 같다 λ=v/θ (v는 평균속도, θ는 평균 초당 충돌회수) =1/N*A(N은 기체의밀도,A는 공간의 부피) .. 2021. 12. 21. 이전 1 ··· 9 10 11 12 13 14 15 16 다음 반응형